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举例说明：硬件组态如下：采用CPU315-2DP，双击硬件组态中的CPU，打属性对话框，由周期性中断选项卡可知只能使用OB35。默认的 0程序用MOVE将MB0的初值置7，即低3位为1，此外用ADD_I将MW6加1.OB35程序：每经过1000ms，MW2被加1.如下图禁止和硬件中断SF0“EN_IRT”和SFC39“DIS_IRT”分别是和禁止中断和异步错误的系统功能。

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云南保山积压电缆现款现结施工剩余电缆反之，当需要频繁起动停止或频繁调速运行时，包括暂态运行，都不适合使用外转子电机。前面所述的PM型、VR型、HB型的转子与定子反装即可构成外转子电机。如HB型步进电机， 磁铁装在外转子上，但电机外面会产生很大的漏磁通，定子绕于内部，适合于闭环控制。此电机很少使用环控制。下左图为三相VR型（即可变磁阻）12主极，100齿，1.2°的转子与定子铁心。定子侧有 磁铁的结构如下右图所示，两图皆未画激磁绕组。1电源线管从地面下穿过时，必须使用套管连接紧密，在地面下不允许有接头，出入地面处必须套用弯头。地面没有封闭之前，必须保护好PVC套管，不允许有破裂损伤，铺地板砖时PVC套管应被覆盖，钉木地板时，电源线应沿墙角铺设，以防止电源线被钉子损伤。1电源线走向横平竖直，不可斜拉，防止被电锤、钉子损伤。各种强弱电插座接口要尽量少。所有插座、关要高于地面300MM以上，并且不会被推拉门家俱等物遮挡。2弱电线路与强电线路不允许共套一管，其间隔距离为0.5m以上。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。此时反相输入端的电位高于输出端的电位.输入电流和反馈电流的实际方向即如中所示.差值电流即削弱了净输入电流(差值电流)，故为负反馈。反馈电流取自输出电压(即负载电压),并与之成正比，故为电压反馈。反馈信号与输入信号在输人端以电流的形式作比较,两者并联，故为并联反馈。因此,反相比例运算电路是引入并联电压负反馈的电路。由前面讨论可知，电压负反馈的作用是稳定输出电压，并联反馈电路则降低输入电阻。反馈系数F由定义式得出：其中XF为反馈电流，所以反馈系数。